SAMSUNG DISCO DURO SSD 990 EVO 2TB PLUS NVME M.2 Lectura secuencial Hasta 7.250 | MZ-V9S2T0BW | 8806095575650 imagen 1

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Samsung Disco Duro Ssd 990 Evo 2tb Plus Nvme M.2 Lectura Secuencial Hasta 7.250 Mb S - Escritura Secuencial Hasta 6.300 Mb S

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Acerca de éste producto

2 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocidad de lectura: 7150 MB/s 850000 IOPS
Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOPS
V-NAND TLC NVMe 2.0
Encriptación de hardware 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
Componente para: PC

Samsung MZ-V9S2T0. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

Marca:

SAMSUNG - P/N: MZ-V9S2T0BW

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Stock:

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Características

Marca:: Samsung
Nombre de producto:: MZ-V9S2T0
Código del producto:: MZ-V9S2T0BW
Código EAN/UPC:: 0887276843681

Brochure Samsung MZ-V9S2T0BW (pdf)

Características

Versión NVMe: 2.0
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
SDD, capacidad: 2 TB
Factor de forma de disco SSD: M.2
Interfaz: PCI Express 4.0
NVMe: Sí
Tipo de memoria: V-NAND TLC
Componente para: PC
Encriptación de hardware: Sí
Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura: 7150 MB/s
Velocidad de escritura: 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB): 850000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS

Características

Soporte S.M.A.R.T.: Sí
Soporte TRIM: Sí
Tiempo medio entre fallos: 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación: 3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura): 4,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura): 4,2 W

Peso y dimensiones

Ancho: 80,2 mm
Profundidad: 2,38 mm
Altura: 22,1 mm
Peso: 9 g

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento: 1500 G