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Ssd Samsung 990 Evo 2tb M.2 Nvme V-nand (MZ-V9E2T0BW)

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SAMSUNG - P/N: MZ-V9E2T0BW

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Lo más destacado

2 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocidad de lectura: 5000 MB/s
Velocidad de escritura: 4200 MB/s
V-NAND TLC NVMe 2.0
Encriptación de hardware 256-bit AES
Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
Componente para: Universal

Samsung 990 EVO. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 5000 MB/s, Velocidad de escritura: 4200 MB/s, Componente para: Universal

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Características del producto

Marca:: Samsung
Nombre de producto:: 990 EVO
Código del producto:: MZ-V9E2T0BW
Código EAN/UPC:: 8806095300269

Características
Versión NVMe	2.0
Algoritmos de seguridad soportados	256-bit AES
Factor de forma de disco SSD	M.2
SDD, capacidad	2 TB
Interfaz	PCI Express 4.0
Tipo de memoria	V-NAND TLC
NVMe	Sí
Componente para	Universal
Encriptación de hardware	Sí
Velocidad de lectura	5000 MB/s
Velocidad de escritura	4200 MB/s
Carriles datos de interfaz PCI Express	x4
Tamaño de la unidad SSD M.2	2280 (22 x 80 mm)
Revisión PCI Express CEM	4.0
Soporte S.M.A.R.T.	Sí
Soporte TRIM	Sí
Tiempo medio entre fallos	1500000 h
calificación TBW	1200

Control de energía
Voltaje de operación	3,3 V

Control de energía
Consumo de energía (lectura)	5,5 W
Consumo de energía (escritura)	4,7 W
Consumo energético (en suspensión)	0,005 W
Consumo de energía (espera)	0,06 W

Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa	0 - 70 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje	-40 - 85 °C
Intervalo de humedad relativa para funcionamiento	5 - 95%
Intervalo de humedad relativa durante almacenaje	5 - 95%
Vibración no operativa	20 G
Golpe (fuera de operación)	1500 G