![Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC | MZ-VAP4T0BW | 8806095811703 [1 de 8]](https://innovainformatica.com/images-amigables/id20/samsung-mz-vap4t0-4-tb-m-2-pci-express-5-0-nvme-v-nand-tlc-mz-vap4t0bw-grande.jpg)
Samsung Mz-vap4t0 4 Tb M.2 Pci Express 5.0 Nvme V-nand Tlc
455,87 €
Precio IGIC incluído.
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Acerca de éste producto
- 4 TB M.2 PCI Express 5.0
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s 2200000 IOPS
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s 2600000 IOPS
- V-NAND TLC NVMe
- Encriptación de hardware 256-bit AES
- Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM
- Componente para: PC/ordenador portátil
Samsung MZ-VAP4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 14800 MB/s, Velocidad de escritura: 13400 MB/s, Componente para: PC/ordenador portátil
Características
Marca: Samsung
Nombre de producto: MZ-VAP4T0
Código del producto: MZ-VAP4T0BW
Código EAN/UPC: 8806095811703
Especificaciones
Características
Algoritmos de seguridad soportados
256-bit AES
SDD, capacidad
4 TB
Factor de forma de disco SSD
M.2
Interfaz
PCI Express 5.0
NVMe
Tipo de memoria
V-NAND TLC
Componente para
PC/ordenador portátil
Encriptación de hardware
Velocidad de lectura
14800 MB/s
Velocidad de escritura
13400 MB/s
Lectura aleatoria (4KB)
2200000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB)
2600000 IOPS
Soporte S.M.A.R.T.
Soporte TRIM
Características
Tiempo medio entre fallos
1500000 h
Control de energía
Voltaje de operación
3,3 V
Consumo eléctrico promedio (lectura)
9 W
Consumo eléctrico promedio (escritura)
8,2 W
Peso y dimensiones
Ancho
80,2 mm
Profundidad
2,38 mm
Altura
22,1 mm
Peso
9 g
Empaquetado
Tipo de embalaje
Caja
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa
0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento
1500 G
RAZONES PARA COMPRAR
> Entregas en Canarias
Entregas en las 8 Islas Canarias
> Atención al cliente
Asistencia personal vía WEB, correo y teléfono
> Formas de pago
Aceptamos Tarjeta crédito/débito, BIZUM, Paypal, Scalapay y Transferencia bancaria
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