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Modulo KINGSTON DDR3 1600Mhz 8Gb KVR16N11/8

Modulo DDR3 1600Mhz 8Gb KVR16N11/8.

56,80 €
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DESCRIPCIÓN RÁPIDA

Kingston Technology ValueRAM 8GB DDR3 1600MHz Module, DDR3, Oro, 1024M x 64, X8, 1 x 8 GB, 240-pin DIMM

Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.

CONDICION  Nuevo y precintado
Modelo  KVR16N11/8
EAN  0740617206937

Características técnicas

DESCRIPCIÓN

Describimos la memoria  1G x 64 bits de ValueRAM (8GB )DDR3-1600 CL11 SDRAM (Synchronous DRAM) 2Rx8 , la memoria módulo ,basado en dieciséis 512M x componentes FBGA 8 bits . la SPD estáprogramado para JEDEC latencia DDR3 -1600 estándar
tiempo de 11-11-11 a 1,5 V . Esta DIMM 240 -pin utiliza oro encontacto con los dedos . Las especificaciones eléctricas y mecánicasson los siguientes :

CARACTERÍSTICAS

  • 1.5V estándar JEDEC ( 1.425V ~ 1.575V ) Fuente dealimentación
  • VDDQ = 1.5V ( 1.425V ~ 1.575V )
  • 800MHz FCK para 1600Mb/sec/pin
  • 8 bancos internos independientes, programable LatenciaCAS : 11 , 10 , 9 , 8 , 7 , 6
  • Programable Aditivo Latencia : 0, CL - 2 o CL - 1reloj  8 bits pre -fetch
  • Longitud de rotura: 8 ( Interleave sin límite ,secuencial con dirección inicial "000 " solamente), 4 con TCCD =4 que no permitir lectura sin fisuras ni escribir [ ya sea sobrela marcha usando A12 o MRS ]
  • Bi- direccional de datos diferencial Strobe  (auto) Calibración interna: autocalibración interna a través de ZQpin ( RZQ : 240 ohm ± 1 %)
  • El uso de Terminación Die pin ODT
  • Promedio 7.8us Período parcial a menor que TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C < TCASE < 95 °C
  • Reajuste Asincrónico
  • PCB: Altura 1.180 " ( 30.00 mm) , doble componente caras

ESPECIFICACIONES

  • CL (IDD) 11 ciclos
  • Row Cycle Time ( tRCmin ) 48.125ns ( min.)
  • Actualizar a Active / Refresh 260ns ( min.)
  • Tiempo Comando ( tRFCmin )
  • Row Active Time ( tRASmin ) 35ns ( min.)
  • Potencia máxima de funcionamiento 2.580 W *
  • Clasificación UL 94 V - 0
  • Temperatura de funcionamiento 0 ° C a 85 ° C
  • Temperatura de almacenamiento- 55 ° C a 100 ° C
  • * Potencia variará dependiendo de la SDRAM utilizado .

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