Innova Informatica

Modulo DDR3 1600Mhz 4Gb KVR16N11S8/4.

Gastos envío desde 6,20 €. En tu casa en Canarias en 24/48 horas.
30,40
IGIC incluido
Disponible


 

CÓMPRALO AHORA Y RECÍBELO EN ...
Canarias: a Tenerife, Gran Canaria, Lanzarote, Fuerteventura el próximo miércoles 24 de Julio - La Palma, El Hierro y La Gomera lo recibes el jueves 25 de Julio

 

FORMAS DE PAGO ONLINE
Financiación: Santander Consumer, Crediya, Paga+Tarde, Payin7
Tarjeta: Visa, Mastercard, Maestro, Iupay
Transferencia (+ info)
DESCRIPCIÓN RÁPIDA

Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3-1600, DDR3, Oro, 512M X 64, X8, 1 x 4 GB, 240-pin DIMM

Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.

CONDICION  Nuevo y precintado
Modelo  KVR16N11S8/4
EAN  0740617207774

OPINIONES


Sé el primero en dar tu opinión/reseña.

Características técnicas

DESCRIPTION
This document describes ValueRAM's 512M x 64-bit (4GB) DDR3-1600CL11 SDRAM (Synchronous DRAM) 1Rx8, memory module, based on eight512M x 8-bit FBGA components. The SPD is programmed to JEDECstandard latency DDR3-1600
timing of 11-11-11 at 1.5V. This 240-pin DIMM uses gold contactfingers. The electrical and mechanical specifications are asfollows:

FEATURES
  • JEDEC standard 1.5V (1.425V ~1.575V) Power Supply VDDQ = 1.5V(1.425V ~ 1.575V) 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin 8 independentinternal bank  Programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 6Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock 8-bit pre-fetch
  • Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential withstarting address “000” only), 4 with tCCD = 4 which does notallow seamless read or write [either on the fly using A12 orMRS]
  • Bi-directional Differential Data Strobe  Internal(self)calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ :240 ohm ± 1%) On Die Termination using ODT pin Average RefreshPeriod 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE< 95°C
  • Asynchronous Reset
  • PCB : Height 0.740” (18.75mm), single sided component

SPECIFICATIONS
  • CL(IDD) 11 cycles
  • Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (min.)
  • Refresh to Active/Refresh 260ns (min.)
  • Command Time (tRFCmin)
  • Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.)
  • Maximum Operating Power 2.160 W*
  • UL Rating 94 V - 0
  • Operating Temperature 0o C to 85o C
  • Storage Temperature -55o C to +100o C
  • *Power will vary depending on the SDRAM used.

Ver ficha del fabricante