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Disco SSD SAMSUNG 850 EVO BASIC 120Gb (MZ-75E120B/EU)

Disco SSD Samsung 850 EVO BASIC 120Gb (MZ-75E120B/EU)

80,85 €
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CONDICION  Nuevo y precintado
Modelo  MZ-75E120B/EU

Características técnicas

Los nuevos Samsung SSD 850 EVO de mayor calíbre con una mejora de rendimiento y resistencia.

Características:

  • Tecnología 3D V-NAND
    • 3D V-NAND es la nueva arquitectura de las memorias flash unica y exclusiva de Samsung, que supera la limitación de la densidad y la resistencia de la arquitectura NAND convencional. 3D V-NAND se fabrica ampliando 32 capas de células verticalmente una sobre la otra, en lugar de disminuir las dimensiones de las células.
  • TurboWrite
    • Lograr el mayor rendimiento de lectura/escritura no es una taréa facil. De esta manera Samsung a introducido en la tecnología TurboWrite que ofrece un 10% mas de rendimiento en un SSD 850 EVO que cualquier usuario con un SSD 840 EVO. El 850 EVO ofrece una velocidad superior,  540MB/s de lectura y 520MB/s de escritura.
  • Modo RAPID
    • El software Magician de Samsung hace que su SSD rinda al maximo, gracias a su incremento en la memoria caché de hasta 4GB.
  • AES256
    • El 850 EVO viene fortificado con el ultimo motor de cifrado basado en hardware. la tecnología de encriptación AES 256bits protege los datos sin ninguna degradación del rendimiento y cumple con TCG Opal 2.0. Tambien es compatible con es estandard Microsoft IEEE1667 lo que sus datos estaran siempre protegidos.

Especificaciones:

  • Capacidad 120GB
  • Dimensiones (W x H x D) 100 x 69.85 x 6.8 (mm)
  • Interfaz
    • SATA 6Gb/s 
    • SATA 3Gb/s 
    • SATA 1.5Gb/s
  • Formato 2.5 inch
  • Controller 120: Samsung MGX controller
  • NAND Flash Memory Samsung 32 capas 3D V-NAND
  • DRAM Memoria Caché 256MB (120GB)
  • Rendimiento
    • Lectura Secuencial Max. 540 MB/s
    • Escritura Secuencial Max. 520 MB/s
    • 4KB Lectura Aleatoria(QD1)
    • Max. 10,000 IOPS
    • 4KB Escritura Aleatoria (QD1)
    • Max. 40,000 IOPS
    • 4KB Lectura Aleatoria(QD32)
    • Max. 94,000 IOPS(120GB)
    • 4KB Escritua aleatoria (QD32)
    • Max. 88,000 IOPS(120GB)
  • Cifrado AES 256-bit Encriptado completo (FDE)
  • TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667)
  • Peso. 66g
  • VIda Utíl MTBF: 1.5 million hours
  • TBW 120: 75TBW
  • Idle: Max. 50mW
  • Modo Hibernación: 2mW(120)
  • Temperatura
    • Operativa: 0°C to 70°C
    • No-Operativo: -40°C to 85°C
  • Humedad
    • 5% a 95% No-condensada
  • Vibración no operativo: 20~2000Hz, 20G
  • Golpe No operativo: 1500G, duration 0.5m sec, 3 axis

 Más información en la web del fabricante:
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/global/html/ssd850evo/specifications.html

Garantía: 2 años.